SiC CMOS 소자 단위공정 진행 용역

한국전기연구원 공고게시 2026-09-21 17:28

추정가격

3,636만원

제출 마감

2026-09-29 11:00 마감

계약방법

일반경쟁

기술:가격

문서에 없음

수행기간

until 2026-12-11

공동수급

prohibited

만들어야 하는 것 1개 과업

1SiC CMOS 단위공정 수행

마스크 증착·식각, 이온주입, 고온 열처리, 산화막·전극 형성 등을 수행하고 후속 공정 조건 최적화 및 기술자문을 제공한다.

요약

한국전기연구원의 SiC CMOS 소자 단위공정 진행 용역이다. 사업금액은 부가세 포함 39,996,000원이며 계약일부터 2026년 12월 11일까지 공정 수행·최적화와 결과보고서를 제공한다.

목적

SiC MOSFET 제작 단위공정을 수행하고 조건을 최적화해 공정 재현성과 신뢰성을 높인다.

수행기간

계약일~2026-12-11

하드웨어

한국전기연구원 창원본원 지정장소.

산출물

공정 수행 결과자료, 최적화 결과, 최종보고서 1부.

참가 자격

나라장터 등록 및 연구원 계약업무요령상 참가자격. 공동수급·하도급 불허.

평가 배점

규격·가격 동시입찰, 기술 적격자 중 예정가격 이하 최저가.

일정과 제출

2026-09-29 11:00 기술·가격 입찰 마감, 12:00 이후 개찰.

걸림돌

기술제안서·납품실적·신용평가 등 제출 서류를 함께 준비해야 한다.

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일정